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IPAC直播间 | CoolSiC™碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V时代

发布时间:2024-05-06

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今年3月, 英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件, 全面开启碳化硅2000V的时代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。 作为英飞凌的创新产品,其在直流母线电压表现抢眼,能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。


英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线,备受好评!5月14日 14:00,今年的碳化硅季正式回归!


首期话题将为您揭开CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面纱:


    - 增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势?

- 2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点?

- 如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战? 

- 2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点?



嘉宾介绍

    波老师:IPAC 常驻主持

    沈嵩:碳化硅资深专家 , 具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识

    赵佳:碳化硅资深专家 , 长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持


直播时间

2024年5月14日(周二)14:00

报名方式

微信扫描下方二维码或点击这里即可报名

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锁定碳化硅季未来几期,更多福利/惊喜将在直播间呈现:CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖,栅极驱动器重点知识讲解,储能方面的应用……





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